[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110017020.X 申请日: 2021-01-07
公开(公告)号: CN112736150B 公开(公告)日: 2022-08-19
发明(设计)人: 黎年赐;杨春雷;钟国华;李文杰;冯叶;李伟民;邵龑 申请(专利权)人: 中国科学院深圳先进技术研究院
主分类号: H01L31/032 分类号: H01L31/032;H01L31/0445;H01L31/18
代理公司: 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 代理人: 魏毅宏
地址: 518055 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供的铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法及铜铟镓硒薄膜太阳能电池,在所述衬底上制备薄膜吸收层,对所述薄膜吸收层进行激光局部加热钝化,对钝化处理后的所述薄膜吸收层生长CdS缓冲层,在所述CdS缓冲层表面形成窗口层,及在所述窗口层表面形成金属栅电极,本发明提供的制备方法,采用先刻蚀,再激光局部加热钝化CIGS表面,最后使用硫化液去除激光加热产生的悬挂键,以此对CIGS吸收层表面进行钝化,钝化表面晶界形成轻掺杂层,提高了电池效率。
搜索关键词: 一种 铜铟镓硒 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
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