[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法有效
| 申请号: | 202110017020.X | 申请日: | 2021-01-07 |
| 公开(公告)号: | CN112736150B | 公开(公告)日: | 2022-08-19 |
| 发明(设计)人: | 黎年赐;杨春雷;钟国华;李文杰;冯叶;李伟民;邵龑 | 申请(专利权)人: | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
| 主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/0445;H01L31/18 |
| 代理公司: | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人: | 魏毅宏 |
| 地址: | 518055 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | 本发明提供的铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法及铜铟镓硒薄膜太阳能电池,在所述衬底上制备薄膜吸收层,对所述薄膜吸收层进行激光局部加热钝化,对钝化处理后的所述薄膜吸收层生长CdS缓冲层,在所述CdS缓冲层表面形成窗口层,及在所述窗口层表面形成金属栅电极,本发明提供的制备方法,采用先刻蚀,再激光局部加热钝化CIGS表面,最后使用硫化液去除激光加热产生的悬挂键,以此对CIGS吸收层表面进行钝化,钝化表面晶界形成轻掺杂层,提高了电池效率。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 铜铟镓硒 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





