[发明专利]太赫兹信号垂直腔面发射器及其制作方法有效

专利信息
申请号: 202110003808.5 申请日: 2021-01-04
公开(公告)号: CN112736643B 公开(公告)日: 2022-04-08
发明(设计)人: 何晓颖;忻向军;饶岚;张琦;李欣国;汤宝;姜勋财 申请(专利权)人: 北京邮电大学;武汉光迅科技股份有限公司
主分类号: H01S5/183 分类号: H01S5/183;H01S5/00
代理公司: 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 代理人: 马敬;项京
地址: 100876 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本公开实施例提供了一种太赫兹信号垂直腔面发射器及其制造方法,包括:有源层,包括第一发光子层、第二发光子层及运输匹配子层;中分布反射镜层,位于第一发光子层远离第二发光子层的一侧;中分布反射镜层包括多个交替排布的第一高折射率子层与第一低折射率子层;欧姆接触层,位于中分布反射镜层远离有源层的一侧;上分布反射镜层,位于欧姆接触层远离中分布反射镜层的一侧,包括多个交替排布的第二高折射率子层与第二低折射率子层;下分布反射镜层,位于有源层远离欧姆接触层的一侧,包括多个交替排布的第三高折射率子层与第三低折射率子层;非线性晶体层,位于上分布反射镜层远离欧姆接触层的一侧。
搜索关键词: 赫兹 信号 垂直 发射器 及其 制作方法
【主权项】:
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