[发明专利]半导体发光器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202080107496.6 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN116584011A | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 程凯 | 申请（专利权）人： | 苏州晶湛半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/187 | 分类号： | H01S5/187 |
| 代理公司： | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人： | 秦卫中 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体发光器件及半导体发光器件的制备方法。该半导体发光器件的制备方法包括：在一衬底(1)上形成掩膜层(2)，所述掩膜层(2)设有暴露所述衬底(1)的多个开口(201)；在所述开口(201)处对所述衬底(1)进行刻蚀形成第一凹槽(110)，在所述第一凹槽(110)内形成第一反射镜(3)；在所述第一反射镜(3)外延生长发光结构(4)，所述发光结构(4)包括依次外延生长第一导电类型半导体层(41)、多量子阱层(42)以及第二导电类型半导体层(43)；在所述发光结构(4)远离所述第一反射镜(3)的一侧形成第二反射镜(5)。在所述第一凹槽(110)内形成第一反射镜(3)以形成多个间隔设置的第一反射镜(3)，无需再进行第一反射镜(3)的图案化步骤，简化了半导体发光器件的制备工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州晶湛半导体有限公司，未经苏州晶湛半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202080107496.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：上行信号传输方法及装置
- 下一篇：一种参考信号的通信方法、装置及系统
