[发明专利]研磨用组合物及硅晶片的研磨方法在审
| 申请号： | 202080089558.5 | 申请日： | 2020-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN114846110A | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 杉田规章 | 申请（专利权）人： | 霓达杜邦股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K3/14 | 分类号： | C09K3/14;C09G1/02;B24B37/04;H01L21/304 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 朱丹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种能够进一步降低研磨后的半导体晶片的微小缺陷及雾度、且使半导体晶片亲水化的能力良好的研磨用组合物。本发明的研磨用组合物包含：研磨粒；碱性化合物；以及水溶性高分子，其是在具有下述通式(A)所示的1,2‑二醇结构单元的乙烯醇系树脂上聚合乙烯基吡咯烷酮而成的共聚物。其中，R |
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| 搜索关键词： | 研磨 组合 晶片 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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