[发明专利]用于估计电力半导体元件的结的参数的方法和电力单元在审

专利信息
申请号: 202080086872.8 申请日: 2020-10-23
公开(公告)号: CN114829956A 公开(公告)日: 2022-07-29
发明(设计)人: N·德格雷纳;N·博耶尔;S·莫洛夫 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;G01R19/00;G01K13/00
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 王婉馨;孙东喜
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本公开涉及一种用于估计电力半导体元件的结的参数的方法,其包括:*‑通过对半导体模块(1)的Von、Ion、Tc的测量值(2,3,4)检测至少一个稳定在线操作条件,其中,Ion是半导体的通态电压Von对温度敏感的电流,并且Tc是所述半导体元件的外壳的温度;*‑测量并存储所述至少一个稳定操作条件的至少一个参数集合Von、Ion、Tc;*‑在计算单元(52)中,提供用于最小化包括第一未知参数集θelec的电气模型Tj=F(Von,Ion,θelec)的结温估计Tj与包括第二未知参数集θmod的损耗/热模型Tj=(Ion,Tc,θmod)的另一个结温估计Tjmod之间的误差的计算,并且获得至少一个参数集θelec和至少一个参数集θmod以提供所述误差的最小化;*‑为所计算的Tj的值提供所计算的参数集θlec和/或θmod中以及所测量的Von、Ion、Tc中的至少一个;*‑存储至少一个参数集θelec和/或θmod和/或Tj。
搜索关键词: 用于 估计 电力 半导体 元件 参数 方法 单元
【主权项】:
暂无信息
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