[发明专利]铁电场效应晶体管的交叉点阵列及其制造方法在审
| 申请号： | 202080081189.5 | 申请日： | 2020-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN114730591A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 张艳丽;J·阿尔斯迈耶;周非 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C11/40 | 分类号： | G11C11/40 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 郭晓龙;黄健 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构，该半导体结构包括沿着第一水平方向横向延伸并通过线沟槽沿着第二水平方向彼此间隔开的层堆叠结构。该层堆叠结构中的每个层堆叠结构包括单元层序列的至少一个实例，该单元层序列从下至上或从上至下包括掺杂半导体源极条、沟道级绝缘条和掺杂半导体漏极条。线沟槽填充结构位于该线沟槽中的相应一个线沟槽内。该线沟槽填充结构中的每个线沟槽填充结构包括存储器柱结构和介电柱结构的横向交替序列。该存储器柱结构中的每个存储器柱结构包括栅极电极、至少一对铁电介电层和位于该沟道级绝缘条的每个层级处的至少一对垂直半导体沟道。 | ||
| 搜索关键词： | 电场 效应 晶体管 交叉点 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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