[发明专利]利用划割道图案来减少缺陷的集成电路在审
| 申请号： | 202080074719.3 | 申请日： | 2020-10-05 |
| 公开（公告）号： | CN114600231A | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | A·萨利纳斯;W·K·麦克唐纳;S·A·约翰内斯梅耶尔;R·P·勒金;S·A·迈斯纳 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 在实例中，一种制造集成电路的方法包括将光掩模定位于光源与半导体晶片之间，所述半导体晶片在所述晶片的晶片划割道中具有光致抗蚀剂层，其中所述光掩模包括：第一掩模划割道图案；第二掩模划割道图案，其匹配所述第一掩模划割道图案；及所述集成电路的至少一个电路图案，其位于所述第一与第二掩模划割道图案之间(802)。所述方法进一步包含照明所述光掩模以在所述晶片划割道的所述光致抗蚀剂层中产生对应于所述第二掩模划割道图案的第一经曝光部分(804)；将所述第一掩模划割道图案定位于所述光源与所述第一经曝光部分之间(806)；及照明所述光掩模，其中所述第一掩模划割道图案大体上屏蔽所述晶片划割道的所述光致抗蚀剂层的未曝光部分以免于曝光(808)。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 划割道 图案 减少 缺陷 集成电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德州仪器公司，未经德州仪器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202080074719.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：三维可图案化的热界面
- 下一篇：基于信号到达时间对伪基站的检测
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
