[发明专利]膜状黏合剂及其分断性评价方法、切割晶粒接合一体型膜及其制造方法以及半导体装置在审
| 申请号： | 202080074707.0 | 申请日： | 2020-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN114600225A | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 山中大辅;彼谷美千子 | 申请（专利权）人： | 昭和电工材料株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52;H01L21/301;C09J7/38 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本公开的一个方面涉及一种在实施冷却扩展的低温条件下的膜状黏合剂的分断性评价方法，其包括：从膜状黏合剂准备截面积A(mm |
||
| 搜索关键词： | 黏合剂 及其 分断性 评价 方法 切割 晶粒 接合 体型 制造 以及 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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