[发明专利]SiC衬底的制造方法在审
| 申请号： | 202080066201.5 | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN114424322A | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 金子忠昭 | 申请（专利权）人： | 学校法人关西学院;丰田通商株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/306;H01L21/02;H01L21/04;C30B29/36;C30B33/00;C30B33/02;C30B33/10 |
| 代理公司： | 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400 | 代理人： | 方挺;侯晓艳 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明所要解决的技术问题是提供一种能够减少去除应变层时的材料损失的、用于制造SiC衬底的新技术。本发明是一种SiC衬底(30)的制造方法，其包括：应变层薄化步骤(S1)，通过使SiC衬底体(10)的应变层(12)移动到表面侧来使应变层(12)变薄。这样，通过包括使应变层(12)移动(集中)到表面侧的应变层薄化步骤(S1)，可以减少去除应变层(12)时的材料损失(L)。 | ||
| 搜索关键词： | sic 衬底 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
