[发明专利]用于预测晶圆上测量值的使用多级LSTM的工具控制有效
| 申请号： | 202080064612.0 | 申请日： | 2020-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN114503244B | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | D·T·潘;R·巴塞曼;R·莫拉利达尔;F·蒂普;N·阮 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于使用预测性长短期记忆的过程控制的方法，包括：获取在制造过程的先前产品上采集的历史后过程测量值；获取在制造过程期间在先前工件上采集的历史过程中测量值；响应于相应的历史过程中测量值和前面的历史后过程测量值，训练神经网络以预测历史后过程测量值中的每个历史后过程测量值；获取在制造过程期间在目前工件上的目前过程中测量值；通过提供目前过程中测量值和历史后过程测量值作为神经网络的输入来预测针对目前工件的未来后过程测量值；以及响应于对未来后过程测量值的预测来调整制造过程的至少一个可控制变量。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 预测 晶圆上 测量 使用 多级 lstm 工具 控制 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
