[发明专利]低压下的高密度、模量和硬度的非晶碳膜在审
| 申请号： | 202080061227.0 | 申请日： | 2020-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN114342043A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 马修·斯科特·韦默;拉格什·普顿科维拉卡姆;戈登·亚历克斯·麦克唐纳德;张绍清;李石柯;薛君;萨曼塔·S·H·坦;赵熙祝;玛丽·安妮·马努姆皮尔;埃里克·A·赫德森;许金瑞 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/033;H01L21/311;H01J37/32;C23C16/26;C23C16/46;C23C16/505 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文提供了用于使用双频射频部件在低压室中的衬底上沉积可灰化硬掩模(AHM)的方法和相关装置。低压等离子体增强化学气相沉积可用于增加AHM的蚀刻选择性，从而使得能使用薄的AHM以用于半导体处理操作。 | ||
| 搜索关键词： | 压下 高密度 硬度 非晶碳膜 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
