[发明专利]用于光学元件的耐氧损失顶部涂层在审
| 申请号： | 202080051501.6 | 申请日： | 2020-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN114127633A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 马悦;M·A·范德凯克霍夫;朱秋石;K·M·休姆勒;P·M·迈耶;K·霍夫曼;A·D·拉弗格;I·V·福门科夫;D·J·W·布朗 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/62 | 分类号： | G03F1/62;G03F7/20;G02B5/08;G21K1/06;H05G2/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 赵林琳 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种用于光刻装置的光学元件。光学元件包括盖层，该盖层包括在其中的氧空位。氧空位通过阻止氢和其他物质穿透盖层和下面的层来防止对盖层的攻击。盖层提供低的氢复合率，使得氢能够清洁光学元件的表面。盖层可以包括合金金属、混合金属氧化物或掺杂的金属氧化物，并且其可以是钌盖层，该钌盖层包括在其中的一种或多种掺杂剂。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 光学 元件 损失 顶部 涂层 | ||
【主权项】：
暂无信息
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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