[发明专利]双面光伏电池制造工艺在审
| 申请号： | 202080046513.X | 申请日： | 2020-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN114127959A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 列弗·科瑞尼;伊加尔·艾森伯格;纳夫塔利·保罗·艾森伯格 | 申请（专利权）人： | 索拉昂德有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/068 | 分类号： | H01L31/068;H01L31/18;H01L31/0288 |
| 代理公司： | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人： | 郑立;周素霞 |
| 地址： | 以色列*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于制造双面光伏电池的工艺，包括以下步骤：用含硼层涂覆衬底；在处于衬底的第二表面上的含硼层上方形成盖层；将含硼层从衬底的未覆盖有盖层的表面去除；在衬底的未被盖层覆盖的表面上实现含磷层的沉积，并且实现磷和硼到衬底中的扩散；去除含磷层；在没有盖层的地方对衬底进行纹理化；在衬底的第一表面上实现含磷层的沉积，并且实现磷到衬底中的扩散以形成第二n‑掺杂层；以及在衬底的第一表面上形成覆盖n‑掺杂层的钝化和/或抗反射涂层。 | ||
| 搜索关键词： | 双面 电池 制造 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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