[发明专利]使用等离子体和蒸汽的干式清洁方法有效
| 申请号: | 202080034449.3 | 申请日: | 2020-04-24 |
| 公开(公告)号: | CN113811401B | 公开(公告)日: | 2023-04-04 |
| 发明(设计)人: | 李佶洸;林斗镐;吴相龙;朴在阳 | 申请(专利权)人: | 艾斯宜株式会社 |
| 主分类号: | B08B3/02 | 分类号: | B08B3/02;B08B5/02;B08B7/00;B08B13/00 |
| 代理公司: | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人: | 钟锦舜;刘烽 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 一种根据本发明的使用等离子体和蒸汽的干式清洁方法包括:反应步骤,在反应腔室中通过使用等离子体处理的反应气体将在单晶硅基板上形成的非晶硅、多晶硅、氧化硅或氮化硅转化为包含六氟硅酸铵的反应物;转移步骤,将其上形成有所述反应物的所述硅基板转移到与所述反应腔室分开地设置的反应物去除腔室;以及反应物去除步骤,用通过在所述反应物去除腔室的上表面部分中形成的蒸汽供应端口供应的高温蒸汽喷射所述反应物,以使所述反应物蒸发,并且将所蒸发的反应物与所述高温蒸汽一起通过在所述反应物去除腔室的下表面部分中形成的排放端口排放。 | ||
| 搜索关键词: | 使用 等离子体 蒸汽 清洁 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于艾斯宜株式会社,未经艾斯宜株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202080034449.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。





