[发明专利]具有支石墓结构的半导体装置的制造方法、支撑片的制造方法及层叠膜在审
| 申请号： | 202080021028.7 | 申请日： | 2020-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN113574666A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 尾崎義信;板垣圭;谷口纮平;桥本慎太郎;矢羽田达也 | 申请（专利权）人： | 昭和电工材料株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的一个方面是一种半导体装置的支石墓结构的形成中所使用的支撑片的制造方法，其包括：(A)准备层叠膜的工序，所述层叠膜依次具备：基材膜、压敏胶粘层、及由例如热固性树脂层形成的支撑片形成用膜；以及(B)通过将支撑片形成用膜单片化，而在压敏胶粘层的表面上形成多个支撑片的工序；(B)工序依次包括：将切口形成至支撑片形成用膜的厚度方向的中途的工序；及通过扩展而将冷却状态的支撑片形成用膜单片化的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 支石墓 结构 半导体 装置 制造 方法 支撑 层叠 | ||
【主权项】：
暂无信息
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