[发明专利]用于在半导体器件制造过程中选择性去除氮化硅的蚀刻溶液和方法有效
| 申请号： | 202080020016.2 | 申请日： | 2020-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN113557287B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 葛智逵;李翊嘉;刘文达 | 申请（专利权）人： | 弗萨姆材料美国有限责任公司 |
| 主分类号： | C09K13/06 | 分类号： | C09K13/06;H01L21/311;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吴亦华;徐志明 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文描述了一种蚀刻溶液和使用所述蚀刻溶液的方法，所述蚀刻溶液包含水、磷酸溶液(水性)、如本文所公开的有机硅化合物和含羟基的水混溶性溶剂。此类组合物可用于相对于氧化硅选择性去除氮化硅。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 制造 过程 选择性 去除 氮化 蚀刻 溶液 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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