[发明专利]半导体处理设备中的稀有气体的收集及再循环在审
| 申请号： | 202080018399.X | 申请日： | 2020-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN113519044A | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 张超;M·弗里德曼 | 申请（专利权）人： | 科磊股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;B01D53/047;B01D53/04;B01D3/00;B01D53/22 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘丽楠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种例如用于半导体处理设备的处理腔室，其与回收单元连接。所述回收单元包含用于缓冲气体的第一存储槽及用于稀有气体的第二存储槽。两个存储槽与所述回收单元中的柱体连接。所述回收单元及处理腔室可作为闭合系统操作。所述稀有气体可按可变流速输送，而所述回收单元中的分离按恒定流量条件操作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 处理 设备 中的 稀有气体 收集 再循环 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
