[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202080018337.9 | 申请日： | 2020-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN113519058A | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 栫山直树;冈修一 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L23/15;H01L23/373;H04N5/369 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的是为了消除由于基板与另一种材料之间的线性膨胀系数差而产生的影响，并且为了确保半导体元件的稳定安装结构。半导体装置设置有玻璃基板和半导体元件。玻璃基板设置有穿透前表面和后表面的通孔。玻璃基板进一步设置有位于通孔的外围的台阶部。半导体元件接合至玻璃基板的台阶部。在使用成像元件作为半导体元件时，例如，防止入射在成像元件上的光散焦，从而改善因成像而获得的图像的图像质量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
