[发明专利]可调式多层太赫兹磁振子发生器在审
| 申请号： | 202080016918.9 | 申请日： | 2020-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN113491042A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | B·G·坦克希列维奇;N·J·基什内尔;C·T·瑟曼 | 申请（专利权）人： | 玛格特拉公司 |
| 主分类号： | H01S1/02 | 分类号： | H01S1/02 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种用于调谐太赫兹辐射的频率的方法。该方法利用一设备，该设备包括自旋注入器、耦合至该自旋注入器的穿隧结、以及耦合至该穿隧结的铁磁材料。该铁磁材料包括磁振子增益介质(MGM)。该方法包括施加偏置电压以将该自旋注入器的费米能级相对于该铁磁材料的费米能级移位，以通过将少数电子注入磁振子增益介质来开始非平衡磁振子的产生的步骤。该方法还包括通过改变该偏置电压的值来调谐所产生的太赫兹辐射的频率。 | ||
| 搜索关键词： | 调式 多层 赫兹 磁振子 发生器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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