[发明专利]用于对电子设计中的特征进行分类的方法和系统在审
| 申请号： | 202080016599.1 | 申请日： | 2020-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN113474727A | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | M.尼夫恰斯;A.申德雷 | 申请（专利权）人： | D2S公司 |
| 主分类号： | G03F1/70 | 分类号： | G03F1/70;G06N20/00;G03F1/32;G06K9/46 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 胡琪 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 用于匹配电子设计的图案中的特征的方法包括输入用于半导体或平板显示器的一组图案数据，其中该组图案数据包括多个特征。对多个特征中的每个特征进行分类，其中分类基于由区域中的形状定义的几何上下文。分类使用机器学习技术。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电子设计 中的 特征 进行 分类 方法 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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