[发明专利]掩模坯料、相移掩模、相移掩模的制造方法以及半导体器件的制造方法在审
| 申请号: | 202080012522.7 | 申请日: | 2020-02-06 |
| 公开(公告)号: | CN113383271A | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
| 发明(设计)人: | 前田仁;野泽顺;宍户博明 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
| 主分类号: | G03F1/32 | 分类号: | G03F1/32;C23C14/06 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王利波 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: |
本发明的目的在于,提供能够抑制相移膜的图案的热膨胀、并且能够抑制起因于该热膨胀的该图案的移动的具备相移膜的掩模坯料。该相移膜具有下述功能:使KrF准分子激光的曝光光以2%以上的透射率透过的功能、和使透过相移膜后的曝光光和仅在与相移膜的厚度相同距离的空气中通过后的曝光光之间产生150度以上且210度以下的相位差的功能,相移膜包含从透光性基板侧起依次层叠有下层及上层的结构,将下层在曝光光的波长下的折射率设为n |
||
| 搜索关键词: | 坯料 相移 制造 方法 以及 半导体器件 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于HOYA株式会社,未经HOYA株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202080012522.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:包含TNO155和瑞博西尼的药物组合
- 下一篇:硬涂用固化性组合物
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备





