[发明专利]半导体元件、半导体装置以及二者的制造方法在审
| 申请号： | 202080011584.6 | 申请日： | 2020-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN113383427A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 君塚直彦;片冈豊隆;工藤義治 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/8234;H01L27/06;H01L27/146;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;曹正建 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供能进一步提高具有包围板状沟道区域的三个表面的栅极电极的半导体元件性能的半导体装置。本发明包括：半导体层；沟道区域，设在半导体层上；第一主电极区域和第二主电极区域，设为面对在沟道区域的沟道长度方向上的两个端侧；栅极绝缘膜，设在第一沟槽和第二沟槽的内壁上及在沟道区域的上表面上，第一沟槽和第二沟槽设在沟道区域的相对的两侧；栅极电极，包括隔着栅极绝缘膜嵌入在第一沟槽中的第一突出部、隔着栅极绝缘膜嵌入在第二沟槽中的第二突出部和水平部，水平部连接至第一突出部和第二突出部的上端部且隔着栅极绝缘膜设在沟道区域的上表面上；其中，第一主电极区域和第二主电极区域的深度等于或大于第一突出部和第二突出部的深度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 装置 以及 二者 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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