[发明专利]具有堆叠导体线和气隙的半导体芯片在审
| 申请号： | 202080007444.1 | 申请日： | 2020-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN113261090A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 理查德·舒尔茨 | 申请（专利权）人： | 超威半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/52 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 公开了各种半导体芯片金属化层及其制造方法。一方面，提供了一种半导体芯片(15)，所述半导体芯片包括：衬底(50)；所述衬底上的多个金属化层(75、80)；所述金属化层中的一个中的第一导体线(175b)和所述金属化层中的所述一个中的第二导体线(175c)，所述第二导体线与所述第一导体线间隔开，所述第一导体线和所述第二导体线中的每一者具有第一线部(190)和堆叠在所述第一线部上的第二线部(200)；以及介电层(187)，所述介电层具有定位于所述第一导体线与第二线之间的部分，所述部分具有气隙(185a)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 堆叠 导体 和气 半导体 芯片 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于超威半导体公司，未经超威半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202080007444.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：太阳能电池
- 下一篇：氟维司群药物组合物、其制备方法及应用
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
