[发明专利]半导体器件中的片上电容器结构在审
| 申请号： | 202080002255.5 | 申请日： | 2020-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN112166501A | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 陈亮 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 刘柳;杨锡劢 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了半导体器件以及用于形成半导体器件的方法的实施例。在示例中，一种半导体器件包括半导体层、与半导体层的第一侧接触的第一层间电介质(ILD)层、多个电介质切口、以及多个第一触点，每个电介质切口贯穿半导体层垂直地延伸以将半导体层分隔成多个半导体块，每个第一触点贯穿第一ILD层垂直地延伸并且分别与多个半导体块接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 中的 电容器 结构 | ||
【主权项】：
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