[发明专利]用于形成三维存储器件的方法

摘要

公开了3D存储器件以及用于形成其的方法的实施例。在一个示例中，公开了一种用于形成3D存储器件的方法。依次形成在衬底上的牺牲层、在牺牲层上的第一停止层、在第一停止层上的具有N阱的P型掺杂半导体层、以及在P型掺杂半导体层上的介电堆叠层。形成各自垂直地延伸穿过介电堆叠层和P型掺杂半导体层、在第一停止层处停止的多个沟道结构。利用存储堆叠层替换介电堆叠层，使得多个沟道结构中的每个沟道结构垂直地延伸穿过存储堆叠层和P型掺杂半导体层。依次去除衬底、牺牲层和第一停止层，以暴露多个沟道结构中的每个沟道结构的端部。形成与多个沟道结构的端部接触的导电层。