[实用新型]一种基于SIC的高压IGBT器件有效
| 申请号： | 202023102546.8 | 申请日： | 2020-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN213782024U | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 陈利;陈译;陈彬 | 申请（专利权）人： | 厦门芯一代集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/16 |
| 代理公司： | 厦门荔信航知专利代理事务所(特殊普通合伙) 35247 | 代理人： | 苏娟 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市中国(福建)*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于SIC的高压IGBT器件，其包括：P型衬底、N型重掺杂缓冲区、N型轻掺杂漂移区、CEL‑N型重掺杂区、P型阱区、P型发射区、N型重掺杂区、高K绝缘层、栅极多晶硅区、栅极、发射极和集电极，其中N型重掺杂缓冲区设在P型衬底上，集电极设在P型衬底的下表面，N型轻掺杂漂移区设在N型重掺杂缓冲区上，CEL‑N型重掺杂区设在N型轻掺杂漂移区上，P型阱区设在CEL‑N型重掺杂区两侧，P型阱区上设有与N型重掺杂区电连接的P型发射区和靠近栅结构区的N型重掺杂区，发射区电极设在P型发射区上，在CEL‑N重掺杂区和P型阱区的上表面设有高K绝缘层、栅极多晶硅区和栅极电极。通过该高压IGBT器件，可以有效地实现功率器件的运行快和损耗低的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 sic 高压 igbt 器件 | ||
【主权项】：
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