[实用新型]一种传感器单晶硅刻蚀装置有效
申请号: | 202022785024.6 | 申请日: | 2020-11-27 |
公开(公告)号: | CN213424919U | 公开(公告)日: | 2021-06-11 |
发明(设计)人: | 郑向飞;何禄平 | 申请(专利权)人: | 杭州拓纬仪科技有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01L21/67 |
代理公司: | 杭州伟知新盛专利代理事务所(特殊普通合伙) 33275 | 代理人: | 陈千楷 |
地址: | 311100 浙江省杭州市余杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种传感器单晶硅刻蚀装置,涉及传感器加工技术领域。本实用新型包括反应器,反应器外表面设有进气口、出气口、气源室和电磁线圈,反应器内部设有内腔和隔热层,内腔内部设有旋转电机、支撑柱、若干片架、若干导流伸缩管和环形凹槽,支撑柱外表面设有开腔,隔热层内部设有制冷机和温度感应器。本实用新型通过设置隔热层、制冷机和温度感应器,达到在反应器内部温度升高时,进行降温,避免电磁线圈脱落的作用;通过设置旋转电机、支撑柱、开腔、导流伸缩管和片架,达到对片架上的单晶硅均匀的与反应气体接触的作用。 | ||
搜索关键词: | 一种 传感器 单晶硅 刻蚀 装置 | ||
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