[实用新型]硅基压电薄膜体声波谐振器有效
| 申请号： | 202022742166.4 | 申请日： | 2020-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN213879775U | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 高安明;姜伟;刘伟 | 申请（专利权）人： | 浙江信唐智芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/007 | 分类号： | H03H3/007;H03H3/02;H03H3/04;H03H9/02;H03H9/17;H03H9/19;H01L41/08;H01L41/22 |
| 代理公司： | 上海段和段律师事务所 31334 | 代理人： | 李佳俊;郭国中 |
| 地址： | 325024 浙江省温州市龙湾区永中街道温*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种硅基压电薄膜体声波谐振器，包括：电极、氮化铝压电薄膜层(3)以及绝缘体上硅(SOI)；所述电极包括：顶电极(1)；所述氮化铝压电薄膜层(3)以及绝缘体上硅(SOI)设置于顶电极(1)的下方；所述绝缘体上硅包括：单晶硅顶层(4)、绝缘二氧化硅中间层(5)、硅衬底层；所述硅衬底层的厚度大于设定阈值；所述绝缘二氧化硅中间层(5)的厚度小于设定阈值；所述单晶硅顶层(4)的厚度大于绝缘二氧化硅中间层(5)；所述单晶硅顶层(4)的厚度小于硅衬底层；本专利所提出的硅基压电薄膜结构结合了上述两类谐振器的优点，从而方便设计出同时具有高Q值和低动生阻抗的谐振器。 | ||
| 搜索关键词： | 压电 薄膜 声波 谐振器 | ||
【主权项】：
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