[实用新型]具有隧穿钝化的P型晶体硅太阳能电池

摘要

本实用新型属于晶体硅太阳能电池技术领域，涉及一种具有隧穿钝化的P型晶体硅太阳能电池，包括P型衬底，其特征在于，所述的P型衬底正面由内到外依次设有选择性发射极、超薄隧穿氧化硅层、磷掺杂多晶硅层、正面氧化硅钝化层和正面氮化硅钝化层，所述的P型衬底背面由内到外依次背面氧化铝钝化层和背面氮化硅化层，正面氮化硅钝化层上设有正面金属银栅线，P型衬底背面设有背面金属铝栅线，所述的背面金属铝栅线贯穿背面氧化铝钝化层和背面氮化硅化层。本实用新型结构非常薄，在解决硅片光吸收的同时，有效地降低了电池的表面复合速率，提高电池的正面钝化，提升电池性能。