[实用新型]一种刻蚀装置有效
| 申请号： | 202022724211.3 | 申请日： | 2020-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN213278029U | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 曹泽域 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 胡影;李红标 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型实施例提供一种刻蚀装置，刻蚀装置包括：刻蚀槽；离子吸附膜，所述离子吸附膜设在所述刻蚀槽中；储槽，所述储槽与所述刻蚀槽连通；循环泵，所述循环泵的进口与所述储槽连通，所述循环泵的出口与所述刻蚀槽连通。在本实用新型的刻蚀装置中，通过在刻蚀槽中设置离子吸附膜来吸附刻蚀液中的金属离子，降低金属离子的含量，减少金属离子对硅片的污染，提高硅片的加工高质量；另外，通过循环泵可以使得刻蚀液在刻蚀槽与储槽之间循环，有利于溶液的循环利用，有利于保持溶液中离子含量的稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
