[实用新型]基于液相外延法生长碳化硅晶体的坩埚装置有效
| 申请号： | 202022703689.8 | 申请日： | 2020-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN213624473U | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 薛卫明;马远 | 申请（专利权）人： | 中电化合物半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B19/06;C30B30/02;C30B30/04;C30B19/10 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 贺妮妮 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种基于液相外延法生长碳化硅晶体的坩埚装置，包括：底部设置有若干个螺纹孔的石墨坩埚；若干个螺杆，固定于螺纹孔中，螺杆的第一端伸入石墨坩埚中，第二端伸出石墨坩埚外；若干个下部探针，固定于若干个螺杆的第一端；若干个电源，其一端分别接于若干个螺杆的第二端。基于该坩埚装置，通过在碳化硅的结晶界面处施加直流电流或电压，并实时调整该直流电流的大小和/或方向，来达到精确控制碳化硅晶体尺寸的目的，基于本坩埚装置制备的碳化硅晶体对尺寸的控制更加精确，工艺程序更加简便；另外，坩埚装置中恒向磁场装置的设置，使在整个晶体结晶生长过程中，进一步减轻了杂质的影响，提高了碳化硅晶体的整体品质。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 外延 生长 碳化硅 晶体 坩埚 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中电化合物半导体有限公司，未经中电化合物半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202022703689.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种便于安装的耳标
- 下一篇：一种金属屏蔽外壳激光焊接的治具
