[实用新型]一种高方阻金属化薄膜有效

专利信息
申请号: 202022688902.2 申请日: 2020-11-19
公开(公告)号: CN213601763U 公开(公告)日: 2021-07-02
发明(设计)人: 钟秀珍;陈有华;李根 申请(专利权)人: 佛山易事达电容材料有限公司
主分类号: H01G4/015 分类号: H01G4/015;H01G4/005
代理公司: 佛山卓就专利代理事务所(普通合伙) 44490 代理人: 陈雪梅
地址: 528000 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种高方阻金属化薄膜,包括经等离子处理的基膜,其特征在于,所述基膜的上方设有金属薄膜,所述金属薄膜包括加厚区和普通区,所述加厚区和所述普通区连接,且所述加厚区和所述普通区设于所述基膜的上方,所述加厚区的方阻在2Ω/□到4Ω/□之间,所述普通区的方阻在100Ω/□到250Ω/□之间。本实用新型通过对基膜进行等离子处理,使得金属薄膜能够很好的附着于基膜的表面,不会轻易脱落,使得普通区的方租能够达到100Ω/□‑250Ω/□之间,提高金属薄膜的击穿电压,提高了电容器的储能密度,通过在金属薄膜的表面涂上一层等离子处理的保护油,确保金属薄膜不会直接与空气接触,避免了金属薄膜的氧化,增加了金属薄膜的使用寿命。
搜索关键词: 一种 高方阻 金属化 薄膜
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