[实用新型]高可靠性宽窗口的超结MOSFET结构有效
| 申请号： | 202022541027.5 | 申请日： | 2020-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN213150785U | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;周锦程;李宗清 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;涂三民 |
| 地址： | 214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种高可靠性宽窗口的超结MOSFET结构，它包括：漏极金属、第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、第二导电类型柱、第一导电类型柱、第二导电类型体区、第二导电类型第二阱区、第一导电类型源区、栅氧层、栅极多晶硅、绝缘介质层、源极金属、场氧层、栅极总线多晶硅与第二导电类型第一阱区。在所述有源区内，在对应相邻的第二导电类型体区之间并在同一条第一导电类型柱的顶部呈间隔地设有块状的第二导电类型第一阱区；在对应第二导电类型体区的正下方的第二导电类型柱的顶部内设有第二导电类型第二阱区。使得在杂质总量发生偏移时，击穿点依然出现在有源区内，保证了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 可靠性 窗口 mosfet 结构 | ||
【主权项】：
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