[实用新型]一种晶体高饱和度连续快速生长的控制系统有效
申请号: | 202022150001.8 | 申请日: | 2020-09-25 |
公开(公告)号: | CN212771046U | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 潘丰 | 申请(专利权)人: | 江南大学 |
主分类号: | C30B29/22 | 分类号: | C30B29/22;C30B7/02;G02F1/355 |
代理公司: | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人: | 刘秋彤;梅洪玉 |
地址: | 214122 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种晶体高饱和度连续快速生长的控制系统,系统包括控制装置、检测装置、执行装置和晶体生长装置。控制装置由PLC主机模块、触摸屏、热电阻输入模块、12个固态继电器和二台变频器组成;PLC主机模块通过输入接口与检测装置中的液位开关及测温热电阻相连,通过输出接口与执行装置中的电加热、电磁阀、循环泵及输送泵相连。溶液配制罐内溶剂和溶质共存,通过控制温度进行溶解,可使溶液所溶解的溶质含量接近溶解温度下的平衡溶质浓度。由于溶液配制罐温度大于培养罐生长温度,从而使溶液中溶解的溶质浓度高于生长温度下的平衡溶质浓度,保证进入培养罐的溶液处于过饱和状态。本实用新型系统提高了大尺寸晶体的生长速度。 | ||
搜索关键词: | 一种 晶体 饱和度 连续 快速 生长 控制系统 | ||
【主权项】:
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