[实用新型]一种晶体高饱和度连续快速生长的控制系统有效

专利信息
申请号: 202022150001.8 申请日: 2020-09-25
公开(公告)号: CN212771046U 公开(公告)日: 2021-03-23
发明(设计)人: 潘丰 申请(专利权)人: 江南大学
主分类号: C30B29/22 分类号: C30B29/22;C30B7/02;G02F1/355
代理公司: 大连理工大学专利中心 21200 代理人: 刘秋彤;梅洪玉
地址: 214122 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型涉及一种晶体高饱和度连续快速生长的控制系统,系统包括控制装置、检测装置、执行装置和晶体生长装置。控制装置由PLC主机模块、触摸屏、热电阻输入模块、12个固态继电器和二台变频器组成;PLC主机模块通过输入接口与检测装置中的液位开关及测温热电阻相连,通过输出接口与执行装置中的电加热、电磁阀、循环泵及输送泵相连。溶液配制罐内溶剂和溶质共存,通过控制温度进行溶解,可使溶液所溶解的溶质含量接近溶解温度下的平衡溶质浓度。由于溶液配制罐温度大于培养罐生长温度,从而使溶液中溶解的溶质浓度高于生长温度下的平衡溶质浓度,保证进入培养罐的溶液处于过饱和状态。本实用新型系统提高了大尺寸晶体的生长速度。
搜索关键词: 一种 晶体 饱和度 连续 快速 生长 控制系统
【主权项】:
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