[实用新型]一种半导体硅环刻蚀洗净装置有效

专利信息
申请号: 202022148935.8 申请日: 2020-09-27
公开(公告)号: CN213476106U 公开(公告)日: 2021-06-18
发明(设计)人: 刘瑞强;张国峰 申请(专利权)人: 辽宁中电科半导体材料有限公司
主分类号: C23F1/08 分类号: C23F1/08;C30B33/10;C30B29/06
代理公司: 沈阳友和欣知识产权代理事务所(普通合伙) 21254 代理人: 杨群;郭悦
地址: 121000 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 实用新型公开了一种半导体硅环刻蚀洗净装置,包括槽体,所述槽体的顶端扣合有顶盖,所述顶盖的底面固定装配有连接杆,所述连接杆的外壁套接有套环,所述套环的外壁固定装配有挂钩,所述槽体的内壁底端固定装配有托盘。通过托盘和通气槽的配合,将导管与气泵连接到一起,使用气泵通过导管和单向阀向通气槽的内部通气,气体通过导管和喷嘴喷出,能够增加槽体内部蚀刻液的流通,增加清洗的效果,通过卡块和球体的配合,通过导管和喷嘴的配合,根据半导体硅环的直径大小,转动导管,导管转动的过程中,带动球体在两个卡块之间转动,此时凸块卡接到凹槽的内部,调整喷嘴的位置,将喷嘴的转动至靠近半导体硅环,灵活性能强,适用范围广泛。
搜索关键词: 一种 半导体 刻蚀 洗净 装置
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