[实用新型]一种复合衬底结构有效
| 申请号： | 202022144764.1 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN212991102U | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 林志东;房育涛;张恺玄;刘波亭 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L33/30;H01L21/02 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 连耀忠;杨锴 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种复合衬底结构，其中，复合衬底包括低阻衬底层和高阻衬底层，用于生长氮化镓外延；其中，位于底部且较厚的低阻衬底层，可增加复合衬底的机械强度，可减小高温异质外延生长中，外延片的翘曲，从而获得更厚的氮化镓基薄膜，提高薄膜晶体质量，改善器件的特性；并可降低外延片表面温差，从而改善外延片均匀性；高阻衬底层作为氮化镓外延的基板和射频器件的最终支撑层，可保证氮化镓器件的射频特性。本实用新型实施为复合硅衬底时，可利用离子注入的方式对一定厚度的高阻衬底层进行转性，形成相应厚度的低阻层，部分增强高阻衬底层的机械强度。本实用新型的制备方法简单，可用于氮化镓射频器件外延片的大量生产中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 衬底 结构 | ||
【主权项】：
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