[实用新型]一种用于VB法InP单晶生长的单晶炉

摘要

本实用新型涉及半导体材料制备技术领域，公开了一种用于VB法InP单晶生长的单晶炉，包括单晶炉架和压力容器，压力容器安装在单晶炉架上，压力容器为两端敞开的中空结构，压力容器的一端可拆卸的密封安装有第一法兰，压力容器的另一端密封安装有第二法兰，第一法兰远离压力容器的一侧设置有第一压板，第二法兰远离压力容器的一侧设置有第二压板，第一压板与第二压板之间设置有紧固机构；压力容器的内壁上固定连接有U型隔板，U型隔板将压力容器的内部分隔为加热腔、埚降腔和动力腔。本实用新型解决目前的单晶炉各部分材料都是导热性能较差的保温材料制作，控温与实际温度存在滞后性，对控温精度要求特别高，造成成品率较低的问题。