[实用新型]一种高门槛高管压降大功率二极管有效
| 申请号： | 202021900031.X | 申请日： | 2020-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN212907714U | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 谢伟;葛洲;黎兴源;黄珂;杨莹冰;葛铁军;王益;张开元;耿星洁;周良;潘琪;周玮;陈启德 | 申请（专利权）人： | 深圳地铁建设集团有限公司;珠海南自电气系统工程有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/38 | 分类号： | H01L23/38;H01L23/367;H01L29/861 |
| 代理公司： | 成都禾创知家知识产权代理有限公司 51284 | 代理人： | 裴娟 |
| 地址： | 518026 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种高门槛高管压降大功率二极管，包括二极管芯片，二极管芯片下方设有第一隔离层，第一隔离层下方设有多组半导体PN结，半导体PN结包括一个N型半导体和一个P型半导体；N型半导体上端通过上导电层与同组P型半导体连接，下端通过下导电层与相邻半导体PN结的P型半导体连接；半导体PN结下方设有第二隔离层；第二隔离层下方设有热沉；左端半导体PN结中N型半导体的下端通过下导电层连接正散热引脚；右端半导体PN结中P型半导体的下端通过下导电层连接负散热引脚。本新型与二极管生产的IC工艺兼容，制冷密度大，无运动部件散热造成的部件磨损，而且结构紧凑，有效提高集成度，并集成了热沉增加了与外界环境的热交换。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 门槛 高管压降 大功率 二极管 | ||
【主权项】：
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