[实用新型]一种半导体结构有效
| 申请号： | 202021814554.2 | 申请日： | 2020-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN212907775U | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 翟峰;唐彪;许时渊 | 申请（专利权）人： | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L21/683 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 李发兵 |
| 地址： | 402760 重庆市璧*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种半导体结构。其包括第一临时衬底；设置于第一临时衬底上的粘接层，粘接层被目标激光照射后分解；粘性溶解层，粘性溶解层设置于粘接层上，直接与粘接层接触，且能够被目标溶剂所溶解；以及芯片主体，粘性溶解层设置于芯片主体的出光侧；当第一临时衬底被目标激光剥离之后，可以通过目标溶剂溶解粘性溶解层，以使粘接层从半导体结构上脱离。在微型发光芯片制作时，能够借助简单的步骤将半导体结构上残留的粘接层完全去除，有利于避免残留的粘接层对微型发光芯片的光造成阻挡，利用提升最终制作的微型发光芯片的出光质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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