[实用新型]一种增加爬电距离的半导体封装结构有效
| 申请号： | 202021729139.7 | 申请日： | 2020-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN213124418U | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;王燕军;朱久桃;李明芬 | 申请（专利权）人： | 无锡电基集成科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 曹慧萍 |
| 地址： | 214000 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种增加爬电距离的半导体封装结构，其可增加引线之间的爬电距离，同时可增加器件的绝缘强度，满足半导体器件的高耐压要求，其包括壳体、若干个由内部芯片引出的贯穿壳体的引线，至少一个引线上包覆有凸缘，凸缘位于引线与壳体外表面相邻的部位，或至少一个引线上包覆有凸缘，同时相邻两个引线之间开有凹槽，凹槽的两端分别贯穿壳体的顶端端面和底端端面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增加 距离 半导体 封装 结构 | ||
【主权项】：
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