[实用新型]一种EEPROM存储阵列上的保护装置有效
| 申请号： | 202021702345.9 | 申请日： | 2020-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN214123879U | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 韦强;张建伟 | 申请（专利权）人： | 上海明矽微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L27/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型的目的是针对技术背景中的精简EEPROM设计，把面积做小，从而降低成本，改进设计一种EEPROM存储阵列上的保护装置，该装置实质是一种NMOS器件，是由4端S、G、D、B组成的，保护装置的作用是为了保护存储阵列边缘，减免由于工艺制造偏差，划片切割硅片带来的应力影响等等。在SMIC 0.13um工艺的版图设计中，本实用新型保护装置比普通保护装置面积更小；EEPROM存储阵列由主存储阵列加上保护装置构成，保护装置面积越小，总存储阵列面积越小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 eeprom 存储 阵列 保护装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
