[实用新型]一种改良型mos管防静电结构有效
| 申请号： | 202021285204.1 | 申请日： | 2020-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN212115755U | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 吕绍明 | 申请（专利权）人： | 深圳市南芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H05F1/00 | 分类号： | H05F1/00 |
| 代理公司： | 重庆百润洪知识产权代理有限公司 50219 | 代理人： | 张建斌 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华区观澜*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及mos管技术领域，具体为一种改良型mos管防静电结构，包括管帽和若干设于管帽上的引脚，所述管帽的表面设有防静电膜，所述管帽的侧面设有若干引脚插槽，所述引脚插设于引脚插槽内部，所述引脚插槽的槽口的表面设有上下两个第一橡胶层，所述引脚插槽的末端槽壁上设有第一磁片，所述引脚的表面设有第二橡胶层，所述引脚的末端设有第二磁片。本实用新型通过引脚的便捷式插接设计，能够实现Mos管上的引脚的便捷式更换，在出现引脚断裂的情况时，只需更换断裂的引脚即可，而不需要丢弃整个Mos管，避免造成资源的浪费；通过管帽表面的防静电膜的设置能够有效起到防静电的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改良 mos 静电 结构 | ||
【主权项】：
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