[实用新型]卧式半导体工艺炉的反应腔室及卧式半导体工艺炉有效
| 申请号： | 202021018542.9 | 申请日： | 2020-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN212322956U | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 赵庆峰;王晓飞 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京思创毕升专利事务所 11218 | 代理人： | 孙向民;廉莉莉 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种卧式半导体工艺炉的反应腔室及包含该反应腔室的卧式半导体工艺炉。卧式半导体工艺炉的反应腔室包括进气口和抽气口，还包括匀流板组件，匀流板组件设置于反应腔室的后炉门上，且遮挡位于后炉门上的抽气口；匀流板组件包括一个、或者至少两个匀流板，匀流板上开设有多个匀流小孔。匀流板组件能够延长工艺气体在反应腔室内的停留时间，改变工艺气体的流动方向，使工艺气体与硅片充分接触和反应，提高反应腔室内工艺气体的均匀性，使得硅片上各点膜厚更加均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 卧式 半导体 工艺 反应 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
