[实用新型]一种生产低位错密度铸造单晶锭或多晶硅锭用的坩埚有效

专利信息
申请号: 202020685312.1 申请日: 2020-04-29
公开(公告)号: CN212293846U 公开(公告)日: 2021-01-05
发明(设计)人: 周耐根;刘世龙;刘淑慧 申请(专利权)人: 南昌大学
主分类号: C30B35/00 分类号: C30B35/00;C30B28/06;C30B11/00;C30B29/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 330000 江西省*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 实用新型公开了一种生产低位错密度铸造单晶锭或多晶硅锭用的坩埚,包括底座,底座的中部上表面安装有保护架,底座的四周上表面均设置有支撑架,连接块的内侧固定有内杆,且内杆的内侧表面开设有滑槽,内杆通过滑槽与内部的滑块相互连接,且滑块的外侧下端安装有连接杆,连接杆的下侧位于固定扣的内部,卡扣的内侧设置有坩埚本体,内杆的左右两侧上端均设置有伸缩柱,密封板的内侧下表面开设有进气孔,密封板的上端设置有抽气机,且抽气机和内槽相互连接。该生产低位错密度铸造单晶锭或多晶硅锭用的坩埚,通过卡扣的使用,使该装置能够对坩埚本体进行固定,并且通过弹簧杆对卡扣的挤压力,能够使该装置对不同大小的坩埚本体进行相互匹配。
搜索关键词: 一种 生产 低位 密度 铸造 单晶锭 多晶 硅锭用 坩埚
【主权项】:
暂无信息
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