[实用新型]一种基于硅与氧化硅叠层的硅振荡器结构有效
| 申请号： | 202020651016.X | 申请日： | 2020-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN212517471U | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 黄向向;杨敏;道格拉斯·雷·斯巴克斯;关健 | 申请（专利权）人： | 罕王微电子（辽宁）有限公司 |
| 主分类号： | H01P7/06 | 分类号： | H01P7/06 |
| 代理公司： | 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 21001 | 代理人： | 张晨 |
| 地址： | 113000 辽宁省抚顺*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种基于硅与氧化硅叠层的硅振荡器结构，包括衬底硅，底层氧化层，中间硅层，中间氧化层，顶层硅层，顶层氧化层，内部电学连接，封堵结构，顶层金属件，空腔结构，谐振器结构；衬底硅作为谐振器的支撑层，底层氧化层为在底层硅上沉积的氧化层；顶层硅层为在中间氧化层上沉积硅薄膜，顶层氧化层为在顶层硅层形成的氧化层，谐振器结构设置在中间硅层上形成谐振器的主体结构部分。本实用新型的优点：采用硅与氧化层叠层结构，氧化物封堵开口技术，CVD淀积W或多晶硅掺杂封堵开口；采用SOI晶圆作为基底，利用光刻、刻蚀工艺，在顶层硅薄膜和中间硅层上刻蚀开口和谐振器图形，是密封单晶硅谐振器的新结构，性能稳定，新工艺和新方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氧化 硅叠层 振荡器 结构 | ||
【主权项】：
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