[实用新型]兼顾高低频性能的超宽带耦合器结构有效
| 申请号： | 202020586448.7 | 申请日： | 2020-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN211480252U | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 陈铭;周文博;陈勇;姚武伟 | 申请（专利权）人： | 上海创远仪器技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01P5/00 | 分类号： | H01P5/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁;郑暄 |
| 地址： | 201601 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种兼顾高低频性能的超宽带耦合器结构，耦合器结构包括第一层磁环、第二层磁环和射频同轴线，所述的第一层磁环环绕在射频同轴线外，所述的第二层磁环套在第一层磁环外部，所述的第一层磁环的外径小于第二层磁环的内径；所述的第一层磁环为镍锌磁环，所述的第二层磁环为锰锌磁环。采用了本实用新型的兼顾高低频性能的超宽带耦合器结构，在更宽的频率范围内均有较好的方向性指标，在超低频率高高频段指标有显著改善提高。本实用新型的优点之二是同一尺寸的耦合器，基于本实用新型的双层磁环结构，在不改变现有的耦合器外形结构尺寸的前提下，可以同时显著改善耦合器的高低频方向性指标，拓宽耦合器的工作频率范围。 | ||
| 搜索关键词： | 兼顾 低频 性能 宽带 耦合器 结构 | ||
【主权项】：
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