[实用新型]一种高速高响应度的硅基光电二极管有效
| 申请号： | 202020477534.4 | 申请日： | 2020-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN211350684U | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 李炘;张跃 | 申请（专利权）人： | 欧跃半导体（西安）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/46;H01L33/32;H01L31/0352;H01L33/00 |
| 代理公司： | 西安科果果知识产权代理事务所(普通合伙) 61233 | 代理人： | 李英俊 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市高新*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种高速高响应度的硅基光电二极管，在不影响光电二极管响应度的前提下，解决了硅基光电二极管响应速度慢的问题。本实用新型通过低阻材料降低了扩散区电阻，缩短了扩散时间；通过增加高反层，降低了耗尽区的物理厚度，缩短了漂移时间；通过高反层，提高了长波的吸收效率；通过在高反层上开孔，减小了扩散区的阻抗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高速 响应 光电二极管 | ||
【主权项】：
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