[实用新型]一种高亮度半导体发光二极管芯片有效
| 申请号： | 202020403332.5 | 申请日： | 2020-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN211238279U | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 汪延明;季辉 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/22;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 长沙七源专利代理事务所(普通合伙) 43214 | 代理人： | 周晓艳;张勇 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种高亮度半导体发光二极管芯片，包括图形化蓝宝石衬底，所述图形化蓝宝石衬底包括上表面带有凸起图文的蓝宝石基底，所述凸起图文上设有DBR图层。本实用新型的芯片，蓝宝石衬底上设置凸起图文，利于磊晶生长时成核，提高晶体质量和抗ESD能力；凸起图文上有DBR图层，提高衬底对有源区发出的光的反射率，从而提高发光强度；通过DBR来制作图形化衬底以及采用蓝宝石基底上的凸起图文和DBR图层的结合，与传统的蓝宝石图形衬底相比，具有独特的反射结构，既能确保后续缓冲层等外延层的生长需求，又能改善外延层晶体质量和改善反射有源区发出的光，从而达到提高器件发光亮度、提高器件抗静电能力和提高抗反向电压的能力的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 亮度 半导体 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
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