[实用新型]一种真空镀膜用的阴极弧光离子源有效

专利信息
申请号: 202020187777.4 申请日: 2020-02-20
公开(公告)号: CN211771519U 公开(公告)日: 2020-10-27
发明(设计)人: 田灿鑫;邹长伟;王泽松;陈震彬 申请(专利权)人: 岭南师范学院
主分类号: C23C14/02 分类号: C23C14/02;C23C14/32
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 刘瑶云;陈伟斌
地址: 524048 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型提供了一种真空镀膜用的阴极弧光离子源,包括相连接的离子源本体和直管过滤机构;所述离子源本体包括外壳、引弧装置、与气源连通的气管、设置在外壳内部的中空阴极、设置在外壳外部的永磁体、用于冷却所述中空阴极的第一冷却机构;所述直管过滤机构包括直管、磁场调节机构;所述中空阴极为一端封闭的圆管状,所述引弧装置和气管均设置在中空阴极的封闭端处并与所述中空阴极的中空部连通;所述中空阴极的开口端与所述直管的另一端连接,所述中空阴极的中空部分与所述直管的中空部分相连通且两者的轴心线重合。本实用新型能对中空阴极发射所产生的金属熔滴起到过滤作用,获得纯度较高的等离子体,从而可以提高等离子体刻蚀的效果。
搜索关键词: 一种 真空镀膜 阴极 弧光 离子源
【主权项】:
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