[实用新型]一种晶圆热处理设备的边缘环及晶圆热处理设备有效
| 申请号： | 202020022542.X | 申请日： | 2020-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN211265419U | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 刘佑铭 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 陈敏 |
| 地址： | 266555 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种晶圆热处理设备的边缘环及晶圆热处理设备，晶圆热处理设备的边缘环包括：外环、内环以及连接所述内环与外环的侧壁；所述外环具有上表面和下表面；所述侧壁沿所述外环的下表面向下延伸，具有第一侧面和第二侧面；所述内环自所述侧壁的末端沿所述侧壁的径向向内延伸，所述内环用于承载晶圆；其中，所述内环为透光圆环，所述外环与所述侧壁均为不透光圆环。本实用新型可以有效的解决晶圆背部加热的不均匀问题，提高了晶圆边缘加热的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 热处理 设备 边缘 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
